霍尔效应测试系统(HET-3)

霍尔效应测试系统HET-3依据范德堡法则测量材料的电运输性能参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或薄层材料均可测量,可应用于所有半导体材料,包括Si、ZnO、SiGe、SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量),广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。
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产品特点

● 自主知识产权产品。

● 温度范围78K~573K(可连续变温)

● 采用高精密度恒流源和电压表,确保仪器测试的良好准确度和高稳定性,性能优越。

● 自动控制磁场方向的改变,更加方便准确。

● 样品装夹方式快速方便,且使用能够解决欧姆接触的样品芯片。

● 产品工业外观采用一体化、精密化设计,融入人性化的设计理念,不仅赏心悦目而且操作方便。

● 智能化的用户界面操作简单,功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验,使测试过程更加方便快捷。

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