变温变磁霍尔效应测试仪HET-3TM
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霍尔效应测试系统 HET-3TML 是依据范德堡法测量材料的电运输性能参数：载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或薄层材料均可测量；
可应用于所有半导体材料，包括 Si、ZnO、SiGe、SiC，GaAs，InGaAs，InP，GaN（N型&P型均可测量）；
广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。
产品特点
● 自动采集样品温度变化时的电阻电压、霍尔电压；
● 可解算样品随温度变动的霍尔系数曲线，并进一步完成曲线的绘制呈现；
● 兼具手动测量功能，可手动操作获取数据；同时支持自动测量，实现数据自动采集；
● 采用高精密度恒流源和电压表，确保仪器测试的良好准确度和高稳定性，性能优越；
● 自动控制磁场方向的改变，更加便捷准确；
● 样品装夹快速方便，且使用能够解决欧姆接触的样品芯片；
● 产品采用一体化、精密化设计，针对国人使用优化，不仅测量精确而且操作方便；
● 自带配套软件，用户界面操作简单，功能齐全，带给客户友好的操作体验，使测试过程更加方便快捷；
产品应用领域：
● 载流子类型鉴定：确定电流携带者是正电荷的空穴还是负电荷的电子，获得半导体或导体的电子结构和能带特性；
● 载流子浓度测量：霍尔系数与载流子浓度之间存在关系，因此通过测量霍尔系数，可以估计材料中载流子的浓度；
● 迁移率评估：霍尔系数可以用来计算载流子的迁移率，对材料的电导率和电子迁移性等方面的深入研究；
产品参数：
产品应用案例（部分）：
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