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05-17 2024

快速热处理RTP的合金化在3C-SiC-PiN中的应用

碳化硅(SiC)是一种优异的第三代半导体材料。其中,3C-SiC(立方相碳化硅)相对于其他SiC晶型(如4H-SiC和6H-SiC)具有一些优点[1],如与硅技术集成性好、较低的晶格失配、较高的载流子迁移率、成本相对较低,在以下领域有独特的···
05-09 2024

变温台在拉伸实验中的应用

拉伸测试,作为材料力学的重要评估手段,旨在揭示材料在拉伸应力作用下的行为特性。测试过程中,一端固定材料,另一端施加拉力并逐渐增加,同时记录材料的应力与应变变化。通过应力-应变曲线的分析,可获取材料的关键性能参数。这些参数包括但不限于:抗拉强···
04-25 2024

快速热处理RTP在diamond器件中的应用

金刚石,这种自然界中最坚硬的物质,因其独特的物理和电学性能,在高功率电子器件领域引起了广泛的关注。其优异的宽带隙、高击穿场强度、高载流子迁移率、低介电常数以及高导热系数等特性[1,2],使得金刚石在电子器件领域具有无可比拟的优势。然而,如何···
04-16 2024

冷热台在低温介电性能测试中的应用

介电性能,作为材料在电场作用下的响应能力的度量,是评估材料电性质不可或缺的关键指标。通过对其进行全面细致的测试,我们可以精确掌握材料在电场作用下的各项性能参数,包括但不限于介电常数、介电损耗、绝缘强度以及介电击穿电压等。介电常数,这一物理量···
04-10 2024

RTP快速退火炉的晶化在铁石榴石薄膜各向异性调控中的应用

稀土石榴石(Rare earth iron garnets ,REIGs)是一种富含稀土元素的矿物,因其独特的物理和化学特性,在自旋电子和磁电子等领域展现出巨大的应用潜力。其快速自旋波动力学、高畴壁速度以及低至中等的阻尼特性使其在微波器件和···
04-09 2024

RTP快速退火炉的合金化在GaN基HEMT传感器中的应用

GaN基HEMT传感器是基于AIGaN/GaN异质结处的二维电子气(2DEG)易受表面态控制的特性而发展起来的一种新型传感探测器件。在GaN 基HEMT 结构中异质结AIGaN/GaN 界面处会形成一个2DEG的表面通道,势阱中的2DEG受···
01-19 2024

RTP对KNN薄膜中晶化退火的应用

       铌酸钾钠{(K, Na)NbO3, KNN}薄膜具有无铅的环境友好性、相对较高的压电系数和较高的居里温度等特点,从而被广泛研究用以替代PZT薄膜的使用,如在超声雾化、水声换能、生物医药等···
01-19 2024

RTP在PZT薄膜均匀性调控中的应用

       锆钛酸铅(PZT)薄膜具有优异的压电和介电性能以及与其他压电膜相比高的居里温度,已在多个领域进行应用,从微电子机械系统(MEMS)到超声波传感器,再到能量收集器,它都发挥着关键的作用[1···
01-06 2024

RTP退火炉在Zr基薄膜铁电性调控中的应用

随着HfO2和ZrO2基铁电薄膜的发展,铁电存储领域正经历着新的变革,这些新型薄膜材料有望突破传统瓶颈,诸如FeRAM、FeFET、FTJ相关的微缩性和集成性问题,为铁电存储器提供“卡脖子”新思路,逐渐成为关注的焦点。铁电材料是一种能够自发···
01-22 2023

快速退火炉的硬件更换

快速退火炉采用先进的微电脑控制系统和PID闭环控温,可达到较高的控温精度和温度均匀性,并可根据用户工艺要求配备真空室或多路气体。  快速退火炉采用卤素红外线灯作为热源,通过较快的升温速度将晶圆或材料快速加热至300°C-···
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