非接触式霍尔效应测试仪
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核心功能
基础参数测量:精确测量载流子迁移率、浓度、方块电阻等关键电学参数;
多元化测试:支持单点快速测试与大面积面扫描(Mapping)分析模式;
成像分析:二维面扫描生成空间分布图,揭示均匀性;
深度分析:集成载流子寿命与缺陷能级分析功能;
核心优势
无损非接触,不破坏样品表面,避免接触点误差;
单点测试≤30s,测试效率高;
多频段微波信号,适用金属、半导体、陶瓷等多种类型材料;
数据可追溯:参数自动记录,满足半导体品质管控体系;
应用领域
晶圆原材料检测:均匀性检测,筛查掺杂不合格来料;
外延片工艺质控:监控外延层掺杂浓度,排查材料缺陷;
芯片制程中间检测:批量晶圆快速分选,剔除电性异常片;
功率半导体专项测试:测试器件体内载流子传输特性,评估导通损耗;
失效分析:失效芯片溯源分析,定位掺杂、晶格、工艺异常根源;
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