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什么是RTP快速热处理？什么是RTA快速热退火？有什么区别？

分类：行业知识
作者：管理员
来源：本站
发布时间：2025-06-24
访问量： 7

【概要描述】首先说结论，RTP（Rapid Thermal Processing）是所有快速热处理的统称！但不限···

什么是RTP快速热处理？什么是RTA快速热退火？有什么区别？

【概要描述】首先说结论，RTP（Rapid Thermal Processing）是所有快速热处理的统称！但不限···

分类：行业知识
作者：管理员
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首先说结论，RTP（Rapid Thermal Processing）是所有快速热处理的统称！但不限于：RTA（快速热退火）、RTO（快速热氧化）、 RTN（快速热氮化）、合金化... ...

RTP与RTA、RTO、RTN之间的联系

RTP设备通过精确控制温度-时间曲线，实现对材料结构、界面特性或杂质分布的调控。我们嘉仪通常说的RTP快速退火炉，就是根据需要，通过软件控制设置，可实现多种工艺模式。如RTA工艺，通过快速升降温，在极短时间内（几秒至几十秒）完成特定退火目的。又或者在O2、N2等气体氛围下，通过多阶段升降温以及长时间恒温，实现RTO、RTN等热处理工艺。

RTP与RTA对比

对比项	RTP	RTA
应用场景	涵盖广泛的热处理工艺：氧化(形成 SiO₂薄膜) 氮化(形成 Si₃N₄) 合金化(金属-半导体接触) 多晶硅再结晶	主要用于退火离子注入后的损伤修复掺杂剂激活硅化物形成(如 NiSi、CoSi₂)
温度曲线	温度曲线更灵活多阶段升温/降温长时间恒温(如氧化工艺需几分钟) 特定温度波形(如脉冲加热)	典型的“尖峰”曲线快速升温至目标温度(如 1000~1100℃) 保持几秒至几十秒快速降温
工艺目的	强调材料改性或薄膜形成通过高温氧化硅表面形成高质量 SiO₂ 金属与硅反应形成低电阻硅化物	强调杂质激活和晶格修复，最小化扩散将注入的B、P等杂质原子激活到晶格位置消除注入引起的非晶层
典型工艺	几秒至几分钟（如氧化工艺要1-5分钟）	几秒至几十秒（如1050℃保持10秒）

RTP与RTA案例对比

案例对比	RTP	RTA
应用场景	FinFET工艺通过RTP在硅表面形成超薄（1~3nm）高质量 SiO₂栅介质	CMOS制造工艺注入B⁺形成P型源漏区通过RTA激活B原子并修复晶格
工艺参数	O₂气氛 900℃保持60秒形成2nm厚SiO₂。	升温速率100℃/秒 1050℃保持5秒降温速率50℃/秒
工艺目的	精确控制氧化层厚度避免高温导致的Fin结构变形	使B原子替代Si晶格位置激活率>90% 同时限制B扩散（结深<50nm）